|
|
| Автор: Юрий Раков |
| Издательство: Новосибирский государственный те |
| Cтраниц: 1 |
| Формат: PDF |
| Размер: 0 |
| ISBN: 978-5-04-112090-0 |
| Качество: excellent |
| Язык: |
|
 |
|
Описание:
|
В четвертой части учебного пособия подробно изложена физика процессов, происходящих в полевых транзисторах с барьером Шоттки на арсениде галлия, наиболее быстродействующих и широко применяемых в СВЧ-диапазоне. Рассмотрена электрофизическая модель на данный тип транзисторов и приведены практические результаты, доказывающие правомерность такой модели. Данная часть пособия полезна студентам, специализирующимся в проектировании быстродействующих электронных средств по твердотельной технологии.
|
Пресс - релиз
string(4) "true"
int(290)
|
