|
|
| Автор: Коллектив авторов |
| Издательство: ФГУП «Издательство СО РАН» |
| Год: 2011 |
| Cтраниц: 1 |
| Формат: PDF |
| Размер: 0 |
| ISBN: 978-5-04-040135-2 |
| Качество: excellent |
| Язык: |
|
 |
|
Описание:
|
Монография посвящена синтезу, атомной, электронной структуре, механизмам переноса заряда и применению диэлектриков с высокой диэлектрической проницаемостью в кремниевых приборах флэш-памяти. Рассматриваются наиболее важные и перспективные диэлектрики Al 2 O 3 , HfO 2 , Ta 2 O 5 , ZrO 2 , TiO 2 , твердые растворы (HfO 2 ) x (Al 2 O 3 ) 1 – x . Анализируется также электронная структура трех традиционных ключевых диэлектриков в кремниевых приборах: оксида SiO 2 , оксинитрида SiO x N y и нитрида Si 3 N 4 кремния. Книга адресуется студентам, аспирантам, инженерам и научным сотрудникам, занимающимся физикой твердого тела и микроэлектроникой.
|
Пресс - релиз
string(4) "true"
int(290)
|
